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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRLR3705 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    IRLR3705Z詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:55V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 42A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2900pF @ 25V
    功率_最大:130W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:管件

    IRLR3705ZPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:55V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 42A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2900pF @ 25V
    功率_最大:130W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:管件

    IRLR3705ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:55V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 42A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2900pF @ 25V
    功率_最大:130W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:Digi-Reel®

    IRLR3705ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:55V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 42A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2900pF @ 25V
    功率_最大:130W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    IRLR3705ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:55V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 42A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2900pF @ 25V
    功率_最大:130W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRLR3705供應(yīng)商

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