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    當前位置:網(wǎng)站首頁 » 庫存索引175 » 型號"IRLR3303TR"的供應信息

    IRLR3303TR 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRLR3303TR詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:35A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 21A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
    功率_最大:68W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應商設備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    IRLR3303TRL詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:35A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 21A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
    功率_最大:68W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應商設備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    IRLR3303TRLPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:35A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 21A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
    功率_最大:68W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應商設備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    IRLR3303TRPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:35A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 21A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
    功率_最大:68W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應商設備封裝:D-Pak
    包裝:Digi-Reel®

    IRLR3303TRPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:35A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 21A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
    功率_最大:68W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應商設備封裝:D-Pak
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRLR3303TRPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:35A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 21A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
    功率_最大:68W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應商設備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

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