

IRLL3303詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 4.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223
- 包裝:管件
IRLL3303PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 4.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223
- 包裝:管件
IRLL3303TR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 4.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRLL3303TR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 4.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223
- 包裝:帶卷 (TR)
IRLL3303TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 4.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223
- 包裝:Digi-Reel®
IRLL3303TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 4.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223
- 包裝:剪切帶 (CT)
- FET - 單 International Rectifier TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 HG STD. BOX 2-CAM.PNP
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS WALL MNT W/SCKT
- 配件 Teledyne LeCroy SENT BUS DECODE OPTION
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1800PF 200V X7R RADIAL
- 背板 - 專用 FCI METRAL HDR RA PF 4X12
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 5600PF 50V 5% NP0 0805
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 148.3516 MHZ 2.5V LVDS SMD
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 6POS SKT
- 背板 - 專用 FCI METRAL HDR RA PF 4X12
- 配件 Teledyne LeCroy SENT BUS DECODE OPTION
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1800PF 200V X7R RADIAL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 6200PF 50V 5% NP0 0805
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 62.5 MHZ 2.5V LVDS SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 HG HISPD HMI 2-CAM.NPN
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