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    IRL6372PBF 全國供應商、價格、PDF資料

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    IRL6372PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET 2N-CH 30V 8.1A SO8
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:2 個 N 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17.9 毫歐 @ 8.1A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 10µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1020pF @ 25V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SO
    包裝:管件

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