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IRL520詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 5.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：60W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL520L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 5.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262-3; 包裝：管件

IRL520LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 5.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262-3; 包裝：管件

IRL520NL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL520NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL520NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

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連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 8POS W/SKT CABLE
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連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 39POS W/PIN WALL
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