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IRL2910L詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 29A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類(lèi)型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL2910PBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 29A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類(lèi)型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL2910SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 29A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL2910STRL詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 29A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL2910STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 29A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL2910STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 29A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

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FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
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觸摸 NKK Switches 9-DIP 模塊 SWITCH TACT SPST-NO 0.125A 24V
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KP216K1409
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連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS WALL MNT W/PINS
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連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS W/PIN BOX
KLNR400.X
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