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IRL1004詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL1004L詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL1004LPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL1004PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL1004S詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL1004SPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

EEC25DRXH-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS DIP .100 SLD
KC3215A32768C33AAE00
振蕩器 AVX Corp/Kyocera Corp - OSCILLATOR 32.768KHZ 3.3V SMD
IRKU41/16A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR CC 2SCR 1600V 40A ADD-A-PAK
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陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1500PF 100V X7R RADIAL
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薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3300PF 1.6KVDC RADIAL
ISL23345WFRZ-T7A
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC DGTL POT QUAD 10K 20QFN
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布線管，配線管道 Panduit Corp RACEWAY 1CHAN MD AD WH(8=8’)
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陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 10000PF 50V Y5V RADIAL
EEC25DTEN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .100 EYELET
K152M15X7RK53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1500PF 200V X7R RADIAL
ECW-HA3C333JB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.033UF 1.6KVDC RADIAL
ISL23345WFRZ-T7A
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC DGTL POT QUAD 10K 20QFN
LDPLUG00
配件 Red Lion Controls PANEL METER PLUG FOR LD
K103Z10Y5VF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 10000PF 50V Y5V RADIAL
EEC26DRAH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS R/A .100 SLD

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