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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRFZ44V 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    IRFZ44VPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:55A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫歐 @ 31A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1812pF @ 25V
    功率_最大:115W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRFZ44VS詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:55A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫歐 @ 31A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1812pF @ 25V
    功率_最大:115W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRFZ44VSTRL詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:55A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫歐 @ 31A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1812pF @ 25V
    功率_最大:115W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRFZ44VSTRR詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:55A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫歐 @ 31A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1812pF @ 25V
    功率_最大:115W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRFZ44VZ詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:57A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 34A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1690pF @ 25V
    功率_最大:92W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRFZ44VZL詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 57A TO-262
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:57A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 34A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1690pF @ 25V
    功率_最大:92W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
    包裝:管件

    IRFZ44V供應(yīng)商

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