IRFZ24SPBF 全國供應商、價格、PDF資料
IRFZ24SPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:17A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 10A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:TO-263(D2Pak)
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 120NH 10% 1812
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.3PF 25V NP0 0201
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X5MM
- 接口 - I/O 擴展器 Intersil 44-QFP IC I/O EXPANDER 24B 44MQFP
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 120NH 20% 1812
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X5MM W/ADH
- 接口 - I/O 擴展器 Intersil 44-QFP IC I/O EXPANDER 24B 44MQFP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.5PF 25V NP0 0201
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 180NH 20% 1812
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC
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