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IRFU13N20DPBF 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IRFU13N20DPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：235 毫歐 @ 8A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V

功率_最大：110W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak

包裝：管件

• H48-6A-300-300-3.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 300X300X3MM

• IRFU024NPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK

• GTN1A114

  磁性 - 位置，近程，速度（模塊）    Honeywell Sensing and Control    桶狀，塑料外殼，法蘭安裝    IC SENSR 83.25MM HALL GEAR TOOTH

• ISC1812ER681K

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR WW 680UH 10% 1812

• IRFU12N25D

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK

• FDS6298

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

• H48-6A-320-320-0.3-2A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6A SHEET 320X320X0.3MM W/ADH

• IPU06N03LB G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

• GTN1A211

  磁性 - 位置，近程，速度（模塊）    Honeywell Sensing and Control    桶狀，塑料外殼，法蘭安裝    IC SENSOR 40MM HALL GEAR TOOTH

• FDS6299S

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

• IRFU3303

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK

• IPU090N03L G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3

• H48-6A-320-320-3.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 320X320X3MM

• GTS447C101HR

  撥動(dòng)開關(guān)    CW Industries    徑向    SWITCH TOGGLE SPDT 12A 250V

• ISC1812ERR27K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 270NH 10% 1812