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IRFS9N60A詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFS9N60APBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFS9N60ATRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFS9N60ATRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFS9N60ATRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFS9N60ATRRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

MP8-3E-1F-1L-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRFS9N60ATRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
P51-2000-A-R-MD-4.5V-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 2000PSI M12-1.0 6G 4.5V
OSTYK60107030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 7CIRC 10MM
OVSA1ABLCR8
LED - 分立式 TT Electronics/Optek Technology 4-PLCC LED DOME 591NM AMBER 60DEG PLCC4
P1172.602NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCTOR PWR SHIELD 6.0UH SMD
P51-1500-S-AF-P-20MA-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 1500PSIS 9/16 UNF 4-20MA
MP8-3E-1L-1L-01
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
OSTYK44615030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 15CIRC 9.50MM
OSTYK60107230
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 7CIRC 10MM
OVSA1BBC2R8
LED - 分立式 TT Electronics/Optek Technology 4-PLCC LED 470NM BLUE 120DEG SMD PLCC4
P1172.683NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCTOR PWR SHIELD 68UH SMD
P51-1500-S-AF-P-4.5V-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 1500PSI 9/16-18 UNF 4.5V
MP8-3E-1L-1L-03
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
P51-2000-A-R-P-4.5V-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 2000PSI M12-1.06G .5-4.5V

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