IRFS3307詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5150pF @ 50V
- 功率_最大：250W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRFS3307PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5150pF @ 50V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRFS3307TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5150pF @ 50V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：Digi-Reel®
IRFS3307TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5150pF @ 50V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFS3307TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5150pF @ 50V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRFS3307ZPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.8 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4750pF @ 50V
- 功率_最大：230W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1210（3225 公制） CAP FILM 8200PF 100VDC 1210
- 時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 144-BGA IC CLK DVR 2.5V PLL DIFF 144BGA
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 27.0000 MHZ SMD
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 33.3330 MHZ SMD
- 圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 54POS PNL MT SCKT
- 線路濾波器 Curtis Industries 徑向，圓盤 FILTER 3-PHASE 480V 185A
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1913（4833 公制） CAP FILM 0.012UF 100VDC 1913
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 35.3280 MHZ SMD
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 19POS PANEL MNT W/PINS
- 緩沖器，支腳，焊盤，握把 Bud Industries FEET RUBBER .81" SQ X .31" HIGH
- 時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬） IC CLK BUFF 1:10 250MHZ 48-TSSOP
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1913（4833 公制） CAP FILM 0.039UF 100VDC 1913
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