

IRFS3207PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:170A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:7600pF @ 50V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRFS3207TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:170A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:7600pF @ 50V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRFS3207TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:170A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:7600pF @ 50V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFS3207TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:170A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:7600pF @ 50V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
IRFS3207ZPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:120A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.1 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:170nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:6920pF @ 50V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRFS3207ZTRRPBF詳細規(guī)格
- 類別:其它
- 描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- 系列:*
- 制造商:International Rectifier
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DVR HI/LOW SIDE 600V 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005(0402 公制) CAP CER 9.1PF 16V NP0 01005
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048S/H9992TR 6"
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2788TR/C2065S/X 2"
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005(0402 公制) CAP CER 9.1PF 16V NP0 01005
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DRIVER HALF-BRIDGE 600V 8SOIC
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2788TR/C2065A/X 3"
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN
- 延時型 Omron Electronics Inc-IA Div TIMER SS MINI 4PDT 1SECOND
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005(0402 公制) CAP CER 1000PF 6.3V X5R 01005
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DVR HALF BRIDGE HV HS 8-SOIC
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2788TR/C2065V/X 3"
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048V/H9992TR 6"
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