

IRFR4105詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:27A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR4105PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:27A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
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- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR4105TR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:27A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR4105TRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:27A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR4105TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:27A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR4105TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:27A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:68W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR24S/AE24M/HKR24S
- 按鈕 APEM Components, LLC SWITCH PUSH SPST-NO 2A 250V
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR PWM 3PHASE BUCK 40-QFN
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 保險絲座 Cooper Bussmann FUSEBLOCK 3POS 2 X 4.9" CLASS H
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 11PF 50V 5% NP0 0603
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR26S/AE26M/HKR26S
- 光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-DIP(0.300",7.62mm) ISOLAT 3.75KVRMS 1CH UNIDIR 8DIP
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR26S/AE26M/HKR26S
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR PWM 3PHASE BUCK 40-QFN
- 共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 垂直式,8 鷗翼形 CHOKE COMMON MODE 120MHZ SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 12PF 50V 5% NP0 0603
- 光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD,鷗翼型 ISOLAT 3.75KVRMS 1CH UNIDIR 8SMD
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR30S/AE30M/HKR30S
- PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關 International Rectifier 16-VFQFN 裸露焊盤 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16MLPQ
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