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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRFIB6N60 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRFIB6N60A詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
    系列:HEXFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:600V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:750 毫歐 @ 3.3A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:49nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
    功率_最大:60W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220-3
    包裝:管件

    IRFIB6N60APBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
    系列:HEXFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:600V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.5A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:750 毫歐 @ 3.3A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:49nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
    功率_最大:60W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220-3
    包裝:管件

    IRFIB6N60供應(yīng)商

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