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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRFD9110 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRFD9110詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:700mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 420mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
    功率_最大:1.3W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
    包裝:管件

    IRFD9110PBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:700mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 420mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
    功率_最大:1.3W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
    包裝:管件

    IRFD9110供應(yīng)商

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