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    IRFD224 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRFD224詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:630mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.1 歐姆 @ 380mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 25V
    功率_最大:1W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)
    供應商設備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
    包裝:管件

    IRFD224PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:630mA
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.1 歐姆 @ 380mA,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 25V
    功率_最大:1W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)
    供應商設備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
    包裝:管件

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