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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRFBE30LPBF 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
    按地區(qū):全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

    IRFBE30LPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:800V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 歐姆 @ 2.5A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
    功率_最大:125W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:I2PAK
    包裝:管件

    IRFBE30LPBF供應(yīng)商

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