IRFBE30 全國供應商、價格、PDF資料

IRFBE30詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 2.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRFBE30L詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 2.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設(shè)備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRFBE30LPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 2.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設(shè)備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRFBE30PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 2.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRFBE30S詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 2.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRFBE30SPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 2.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

• IKP20N60T

  IGBT - 單路    Infineon Technologies    TO-220-3    IGBT 600V 40A 166W TO220-3

• IRFBE20S

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

• IRF7603TR

  FET - 單    International Rectifier    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8

• CSINI800

  配件    Red Lion Controls    SOD-123H    8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD

• CRCW2512240KJNEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 240K OHM 1W 5% 2512 SMD

• IRFBE20STRR

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

• EXB-H5E684J

  網(wǎng)絡、陣列    Panasonic Electronic Components    5-SSIP    RES ARRAY 680K OHM 4 RES 5-SSIP

• IKU04N60R

  IGBT - 單路    Infineon Technologies    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    IGBT 600V 8A 75W TO251-3

• IRF7603TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8

• CSINI800

  配件    Red Lion Controls    SOD-123H    8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD

• IRFBF20S

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

• CRCW2512240KJNEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 240K OHM 1W 5% 2512 SMD

• EXB-H6V331J

  網(wǎng)絡、陣列    Panasonic Electronic Components    6-SSIP    RES ARRAY 330 OHM 3 RES 6-SSIP

• IRF7700GTRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP

• CSINI800

  配件    Red Lion Controls    SOD-123H    8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD