IRFBC40A詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRFBC40AL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：I2PAK
- 包裝：管件
IRFBC40APBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRFBC40AS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRFBC40ASPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRFBC40ASTRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- FET - 單 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 256X18 SYNC 25NS 64-TQFP
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關穩(wěn)壓器 Intersil 28-WFQFN 裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 28TQFN
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
- FET - 單 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264
- 微調器，可變 Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 64-TQFP CAP TRIMMER 15-60PF 200V TH
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR PWM 48-QFN
- PMIC - 監(jiān)控器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SEQUENCER QUAD ADJ 14-SOIC
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP
- FET - 單 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM 48-QFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BACKPLANE CPU 3 SLOT
- PMIC - 監(jiān)控器 Intersil SC-70，SOT-323 IC VOLT SUPERVISOR 2.19V SC-70
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引線） IC FIFO 512X9 SYNC 15NS 32-PLCC
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