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IRF9Z24NL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF9Z24NLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF9Z24NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF9Z24NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9Z24NSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9Z24NSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

LME49710HABD
評估板 - 運算放大器 Texas Instruments TO-99-8 金屬罐 BOARD EVALUATION LME49710HA
K332J20C0GH5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3300PF 100V 5% RADIAL
IRF9Z24NLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
ECS-360-S-20A-TR
晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 36.000MHZ SERIES SMD
KTD251B155M55A0T00
陶瓷 United Chemi-Con 徑向 CAP CER 1.5UF 250V 20% RADIAL
K271M15X7RF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 270PF 50V 20% RADIAL
ECW-F6513RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL
L4949ED-E
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG LDO 5V .1A 8SOIC
ECS-360-S-30B-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 36.000 MHZ SERIES SMD
K332J20C0GH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3300PF 100V 5% RADIAL
KTD500B105M32A0T00
陶瓷 United Chemi-Con 徑向 CAP CER 1UF 50V 20% RADIAL
L4959
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 STMicroelectronics Multiwatt-11（垂直，彎曲和錯列引線） IC VREG MULTI AUDIO MULTIWATT11
ECW-F6513RJL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL
LME49721MA/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC AMP AUDIO STER AB HIFI 8SOIC
ECS-360-S-33-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 36.000 MHZ SERIES SMD

IRF9Z24N 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料