IRF9953 全國供應商、價格、PDF資料

IRF9953詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個 P 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF9953PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個 P 溝道（雙）

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF9953TR詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個 P 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF9953TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個 P 溝道（雙）

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

IRF9953TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個 P 溝道（雙）

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

IRF9953TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個 P 溝道（雙）

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

• ECW-F6364RJL

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.36UF 630VDC RADIAL

• K331M15X7RH53H5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 330PF 100V X7R RADIAL

• IRF9953TR

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

• LMD5IW-Q

  線槽，走線系統(tǒng) - 附件    Panduit Corp    20-DIP（0.300"，7.62mm）    MOUNT STRAP IMPACT RES LDS5 WHT

• ECS-35-S-5P-TR

  晶體    ECS Inc    HC49/US    CRYSTAL 3.579545MHZ SERIES SMD

• K271K15X7RK5UH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 270PF 200V 10% RADIAL

• KT11S2SA2M35LFG

  觸摸    C&K Components        SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V

• ECW-F6394HL

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.39UF 630VDC RADIAL

• L4931ABDT50-TR

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    STMicroelectronics    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    IC REG LDO 5V .25A DPAK

• ECS-35-S-7SX-TR

  晶體    ECS Inc    4-SOJ，9.40mm 間距    CRYSTAL 3.579545MHZ SERIES SMD

• LME

  配件    Carling Technologies    20-DIP（0.300"，7.62mm）    MOUNTING PANEL END ROCKER

• K271K15X7RK5UH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 270PF 200V 10% RADIAL

• KT2520F26000ZAW18TKK

  振蕩器    AVX Corp/Kyocera Corp    6-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSCILLATOR TCXO 26.000MHZ SMD

• L4931CD50-TR

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    STMicroelectronics    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG LDO 5V .25A 8-SOIC

• K331M15X7RK5TL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 330PF 200V X7R RADIAL