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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRF9520S 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    IRF9520S詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
    功率_最大:3.7W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRF9520SPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
    功率_最大:3.7W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRF9520STRL詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
    功率_最大:3.7W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF9520STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
    功率_最大:3.7W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF9520STRR詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
    功率_最大:3.7W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF9520STRRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
    功率_最大:3.7W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF9520S供應(yīng)商

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