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IRF840LC詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF840LCL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF840LCLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF840LCPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF840LCS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF840LCSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

PCA8575PW,118
接口 - I/O 擴(kuò)展器 NXP Semiconductors 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC I/O EXPANDER I2C 16B 24TSSOP
OSTYK50612330
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 12CIRC 9.50MM
IRF840ASTRLPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
P1330-823K
固定式 API Delevan Inc 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 82.0UH SMD
IRFR9024TR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
P-500DR F7
電池組 Panasonic - BSG 鈕扣電池 BATTERY PACK NICAD 8.4V 5000MAH
OSTVJ104150
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 7.5MM 10POS PCB
NZ-Q32
尖端，噴嘴 OKI/Metcal 24-VFQFN 裸露焊盤 NOZZL QUAD 32X32MM PLCC84,QFP208
PCA8576CH/Q900/1,1
PMIC - 顯示器驅(qū)動(dòng)器 NXP Semiconductors 64-LQFP IC LCD DRIVER 40SEG I2C 64LQFP
P1330R-103K
固定式 API Delevan Inc 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 10.0UH SMD
IRFR9210TRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
OSTVJ106150
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 7.62MM 10POS PCB
P-500DR L2X5
電池組 Panasonic - BSG 鈕扣電池 BATTERY PACK NICAD 12V 5000MAH
NZ-Q35
尖端，噴嘴 OKI/Metcal 24-VFQFN 裸露焊盤 NOZZLE QUAD 35MM X 35MM
PCA8576DU/2DA/Q2,0
其它 NXP Semiconductors 64-LQFP IC LCD DRIVER AUTO 40X4 UNCASED

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