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IRF820A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF820AL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF820ALPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF820APBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF820AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF820ASPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

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PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) IXYS 8-SOIC IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
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PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2V SOT23-3
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陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 200V 5% RADIAL
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