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    IRF7707 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    IRF7707詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 7A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2361pF @ 15V
    功率_最大:1.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP
    包裝:管件

    IRF7707GTRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 7A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2361pF @ 15V
    功率_最大:1.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF7707GTRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 7A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2361pF @ 15V
    功率_最大:1.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7707GTRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 7A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2361pF @ 15V
    功率_最大:1.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP
    包裝:Digi-Reel®

    IRF7707TR詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 7A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2361pF @ 15V
    功率_最大:1.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7707TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 7A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2361pF @ 15V
    功率_最大:1.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP
    包裝:剪切帶 (CT)

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