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IRF7704TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

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IRF7704TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7704TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

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FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
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FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
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