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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRF7703 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF7703詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:5220pF @ 25V
    功率_最大:1.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP
    包裝:管件

    IRF7703GTRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:5220pF @ 25V
    功率_最大:1.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF7703GTRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:5220pF @ 25V
    功率_最大:1.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP
    包裝:Digi-Reel®

    IRF7703GTRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:5220pF @ 25V
    功率_最大:1.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7703TR詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:5220pF @ 25V
    功率_最大:1.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7703TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:5220pF @ 25V
    功率_最大:1.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-TSSOP
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7703供應(yīng)商

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