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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRF7501TR 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    IRF7501TR詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.4A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:135 毫歐 @ 1.7A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 15V
    功率_最大:1.25W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro8?
    包裝:Digi-Reel®

    IRF7501TR詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.4A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:135 毫歐 @ 1.7A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 15V
    功率_最大:1.25W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro8?
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF7501TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.4A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:135 毫歐 @ 1.7A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 15V
    功率_最大:1.25W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro8?
    包裝:Digi-Reel®

    IRF7501TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.4A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:135 毫歐 @ 1.7A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 15V
    功率_最大:1.25W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro8?
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF7501TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
    FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.4A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:135 毫歐 @ 1.7A,4.5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 15V
    功率_最大:1.25W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro8?
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7501TR供應(yīng)商

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