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    IRF7477TR 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF7477TR詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:14A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫歐 @ 14A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2710pF @ 15V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SO
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7477TRPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:14A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫歐 @ 14A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2710pF @ 15V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SO
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7477TRPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:14A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫歐 @ 14A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2710pF @ 15V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SO
    包裝:Digi-Reel®

    IRF7477TRPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:14A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫歐 @ 14A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2710pF @ 15V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SO
    包裝:剪切帶 (CT)

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