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IRF7465詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1.14A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7465PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1.14A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7465TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1.14A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7465TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1.14A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7465TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1.14A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

KPSE01F14-5PA71
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS CBL MNT PIN
K392M15X7RH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 100V X7R RADIAL
IRF7465PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
IMC1210BN10NK
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 10NH 10% 1210
IVS1-5W0-2Q0-1L0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KPT06B24-61P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 61POS W/PIN CABLE
IRF6633TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MP MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
KMPC8360EVVAJDGA
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 740-LBGA IC MPU POWERQUICC II PRO 740TBGA
KPSE01F14-5PW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS CBL MNT PIN
KPT06B24-61P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 61POS W/PIN CABLE
IMC1210BN151K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 150UH 10% 1210
IVS3-3C-3C-2E-3D-1F-33-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KMPC8360EVVALFHA
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 740-LBGA IC MPU POWERQUICC II PRO 740TBGA
IRF6635TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
KPSE01F16-26PY
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS CBL MNT W/PINS

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