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IRF7460詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7460PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7460TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7460TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7460TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7460TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF6623TR1
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRF7459TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
KPT06B22-55PW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 55POS W/PIN CABLE
KPSE01F14-15P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 15POS CBL MNT PIN
K392M10X7RH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 100V X7R RADIAL
IVS1-5U0-5U0-60-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IMC1008ER3R9J
固定式 Vishay Dale 1008（2520 公制） INDUCTOR 3.9UH 5% SMD
IRF6628TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
KMPC8358VVAGDG
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 740-LBGA IC MPU PWRQUICC II 740-TBGA
K392M15X7RF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 50V X7R RADIAL
KPSE01F14-19PA71
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS CBL MNT PIN
IMC1008ERR12J
固定式 Vishay Dale 1008（2520 公制） INDUCTOR 120NH 5% SMD
IVS1-5W0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KMPC8358ZQAGDGA
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 668-BBGA 裸露焊盤 IC MPU POWERQUICC II 668-PBGA
IRF6629TR1PBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

IRF7460 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料