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IRF7424GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4030pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7424GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4030pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7424GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4030pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7424PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4030pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7424TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4030pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7424TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4030pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3704STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
GT1-ROP08
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK 8PT RELAY OUTPUT
IRF7424TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
H2AXT-10108-N4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A2015N/X 8"
H2BXG-10105-A6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049A/X 5"
FFVE6N0356K7X
薄膜 AVX Corporation 徑向，Can - 螺絲端子 CAP FILM 35UF 1.9KVDC SCREW
H8MMH-6006G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60H/AE60G/HDM60H
H2BXG-10105-B6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049B/X 5"
IRF3704STRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
H2AXT-10108-Y6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A3049Y/X 8"
FFVI6L0476K--
薄膜 AVX Corporation 徑向，Can - 螺絲端子 CAP FILM 47UF 1.1KVDC SCREW
H2BXG-10105-B8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048B/X 5"
H8MMH-6018G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60H/AE60G/HDM60H
GT1-TS04T
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MULTIPLE IO 4 T/C INPUTS
H2BXG-10105-G8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048G/X 5"

IRF7424 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料