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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRF7421 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    IRF7421D1詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    系列:FETKY™
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:管件

    IRF7421D1PBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    系列:FETKY™
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7421D1TR詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    系列:FETKY™
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7421D1TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    系列:FETKY™
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF7421D1TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    系列:FETKY™
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF7421D1TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    系列:FETKY™
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.8A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
    功率_最大:2W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
    包裝:Digi-Reel®

    IRF7421供應(yīng)商

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