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IRF720S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF720SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF720STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF720STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF720STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

DTS24F15-97PA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 12POS JAM NUT W/PINS
IRF720STRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
IRD3901
單二極管/整流器 Vishay Semiconductors DO-203AB，DO-5，接線柱 DIODE FAST REC 200V 20A DO-5
E32-T11U
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FLUORORESIN M4 THRU BEAM
DTS26F17-26PC-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 26POS PIN
IMC1812EU221K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 220UH 10% 1812
IRFP9240PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
IPD90N03S4L-02
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
DTS24F15-97PA-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 12POS PIN
E32-T11U
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FLUORORESIN M4 THRU BEAM
IMC1812EUR82K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 820NH 10% 1812
DTS26F17-26PD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 26POS STRGHT W/PINS
IPD90N03S4L-03
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IRFPC60LC
FET - 單 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
DTS24F15-97PD-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 12POS PIN

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