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    IRF6706S2TR1PBF 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
    
	
    型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
    
	
    按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外
    

    

    
	
    IRF6706S2TR1PBF詳細(xì)規(guī)格
    類別：FET - 單
    描述：MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
    系列：HEXFET®
    制造商：International Rectifier
    FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    FET特點(diǎn)：邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444：25V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A
    開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 17A，10V
    Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds：1810pF @ 13V
    功率_最大：1.8W
    安裝類型：表面貼裝
    封裝/外殼：DirectFET? 等容 S1
    供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET S1
    包裝：Digi-Reel®
    IRF6706S2TR1PBF詳細(xì)規(guī)格
    類別：FET - 單
    描述：MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
    系列：HEXFET®
    制造商：International Rectifier
    FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    FET特點(diǎn)：邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444：25V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A
    開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 17A，10V
    Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds：1810pF @ 13V
    功率_最大：1.8W
    安裝類型：表面貼裝
    封裝/外殼：DirectFET? 等容 S1
    供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET S1
    包裝：剪切帶 (CT)
    IRF6706S2TR1PBF詳細(xì)規(guī)格
    類別：FET - 單
    描述：MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
    系列：HEXFET®
    制造商：International Rectifier
    FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    FET特點(diǎn)：邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444：25V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A
    開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 17A，10V
    Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds：1810pF @ 13V
    功率_最大：1.8W
    安裝類型：表面貼裝
    封裝/外殼：DirectFET? 等容 S1
    供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET S1
    包裝：帶卷 (TR)
    

    
	
    IRF6706S2TR1PBF供應(yīng)商
    
    
    
    查看更多IRF6706S2TR1PBF的供應(yīng)商
    

    

    
	

    


    
	
    
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