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    當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁 » 庫存索引64 » 型號"IRF6662TRPBF"的供應(yīng)信息
    

    
	
    IRF6662TRPBF 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料
    
	
    型號：廠商：批號：封裝：
    
	
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    IRF6662TRPBF詳細(xì)規(guī)格
    類別：FET - 單
    描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
    系列：HEXFET®
    制造商：International Rectifier
    FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444：100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A
    開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.2A，10V
    Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V
    功率_最大：2.8W
    安裝類型：表面貼裝
    封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
    供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MZ
    包裝：剪切帶 (CT)
    IRF6662TRPBF詳細(xì)規(guī)格
    類別：FET - 單
    描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
    系列：HEXFET®
    制造商：International Rectifier
    FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444：100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A
    開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.2A，10V
    Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V
    功率_最大：2.8W
    安裝類型：表面貼裝
    封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
    供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MZ
    包裝：Digi-Reel®
    IRF6662TRPBF詳細(xì)規(guī)格
    類別：FET - 單
    描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
    系列：HEXFET®
    制造商：International Rectifier
    FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
    FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444：100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A
    開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.2A，10V
    Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V
    功率_最大：2.8W
    安裝類型：表面貼裝
    封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
    供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MZ
    包裝：帶卷 (TR)
    

    
	
    IRF6662TRPBF供應(yīng)商
    
    
    
    查看更多IRF6662TRPBF的供應(yīng)商
    

    

    
	

    


    
	
    
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