添加收藏夾 設(shè)為首頁 深圳服務(wù)熱線:13692101218  13751165337 網(wǎng)站地圖|企業(yè)名錄|IC詳細(xì)資料|熱門庫存|Pdf資料

    51電子網(wǎng)Log圖片

    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

    51電子網(wǎng)聯(lián)系電話:13692101218

    當(dāng)前位置:網(wǎng)站首頁 » 庫存索引38 » 型號"IRF6645"的供應(yīng)信息

    IRF6645 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
    按地區(qū):全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

    IRF6645詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
    功率_最大:3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:DIRECTFET? SJ
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF6645TR1PBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
    功率_最大:3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:DIRECTFET? SJ
    包裝:Digi-Reel®

    IRF6645TR1PBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
    功率_最大:3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:DIRECTFET? SJ
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF6645TR1PBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
    功率_最大:3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:DIRECTFET? SJ
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF6645TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
    功率_最大:3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:DIRECTFET? SJ
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF6645TRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
    功率_最大:3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:DIRECTFET? SJ
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF6645供應(yīng)商

    查看更多IRF6645的供應(yīng)商
    把51電子網(wǎng)設(shè)為首頁      把51電子網(wǎng)加入收藏夾
    關(guān)于我們 | 會員收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn) | 廣告服務(wù) | 付款方式 | 友情鏈接 | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 免責(zé)聲明
    庫存上載:[email protected]   
    版權(quán)所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務(wù)熱線(深圳):13751165337 13692101218 傳真:0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


     復(fù)制成功!

    
    

      91在线播放国产 | 无码一道本 | 欧美大尺寸suv视频 | AV熟女逼逼 | 成人性做爰AAA片免费看 | 国产一级婬片A片AAA樱花 | 北条麻妃40部无码精品 | 无码一区二区久久 | 亚洲成人大香蕉 | 91一区二区国产精华液的特点 |