

IRF6644詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 10.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2210pF @ 25V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MN
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MN
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6644TR1詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 10.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2210pF @ 25V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MN
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MN
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6644TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 10.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2210pF @ 25V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MN
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MN
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6644TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 10.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2210pF @ 25V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MN
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MN
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6644TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 10.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2210pF @ 25V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MN
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MN
- 包裝:Digi-Reel®
IRF6644TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 10.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2210pF @ 25V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MN
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MN
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 33UH .92A SMD
- PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關 International Rectifier 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC DRIVER 3PHASE 600V 28-SOIC
- 振蕩器 Pericom 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 77.76MHZ 3.3V SMD
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
- PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5
- PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關 International Rectifier 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC
- 網(wǎng)絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 2.4 OHM 4 RES 1206
- 振蕩器 Pericom 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 100MHZ 3.3V SMD
- PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關 International Rectifier 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC DRIVER 3PHASE 600V 28SOIC
- 振蕩器 Pericom 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 100MHZ 1.8V SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 10-UFQFN IC CURRENT SHUNT MONITOR 10UQFN
- 網(wǎng)絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 2.4 OHM 4 RES 1206
- PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關 International Rectifier 44-PLCC(32 引線) IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC
- 振蕩器 Pericom 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 100MHZ 2.5V SMD
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 330UH .27A SMD
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