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    IRF6644 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF6644詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 10.3A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 150µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2210pF @ 25V
    功率_最大:2.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MN
    供應商設備封裝:DIRECTFET? MN
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF6644TR1詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 10.3A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 150µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2210pF @ 25V
    功率_最大:2.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MN
    供應商設備封裝:DIRECTFET? MN
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF6644TR1PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 10.3A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 150µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2210pF @ 25V
    功率_最大:2.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MN
    供應商設備封裝:DIRECTFET? MN
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF6644TR1PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 10.3A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 150µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2210pF @ 25V
    功率_最大:2.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MN
    供應商設備封裝:DIRECTFET? MN
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF6644TR1PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 10.3A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 150µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2210pF @ 25V
    功率_最大:2.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MN
    供應商設備封裝:DIRECTFET? MN
    包裝:Digi-Reel®

    IRF6644TRPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫歐 @ 10.3A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 150µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:47nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2210pF @ 25V
    功率_最大:2.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MN
    供應商設備封裝:DIRECTFET? MN
    包裝:剪切帶 (CT)

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