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    IRF6609 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF6609詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:31A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 31A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MT
    供應商設(shè)備封裝:DIRECTFET? MT
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF6609詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:31A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 31A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MT
    供應商設(shè)備封裝:DIRECTFET? MT
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF6609TR1詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:31A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 31A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MT
    供應商設(shè)備封裝:DIRECTFET? MT
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF6609TR1PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:31A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 31A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MT
    供應商設(shè)備封裝:DIRECTFET? MT
    包裝:剪切帶 (CT)

    IRF6609TR1PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:31A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 31A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MT
    供應商設(shè)備封裝:DIRECTFET? MT
    包裝:Digi-Reel®

    IRF6609TR1PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:31A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 31A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
    功率_最大:1.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:DirectFET? 等容 MT
    供應商設(shè)備封裝:DIRECTFET? MT
    包裝:帶卷 (TR)

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