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    IRF634S 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF634S詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 5.1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:770pF @ 25V
    功率_最大:3.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應商設備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRF634SPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 5.1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:770pF @ 25V
    功率_最大:3.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應商設備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRF634STRL詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 5.1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:770pF @ 25V
    功率_最大:3.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應商設備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF634STRR詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 5.1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
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    功率_最大:3.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應商設備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF634STRRPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 5.1A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:770pF @ 25V
    功率_最大:3.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應商設備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

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