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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRF634 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    IRF634詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO-220
    系列:MESH OVERLAY™
    制造商:STMicroelectronics
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 4A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:51.8nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:770pF @ 25V
    功率_最大:80W
    安裝類(lèi)型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRF634詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.1A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 5.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:770pF @ 25V
    功率_最大:74W
    安裝類(lèi)型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRF634B_FP001詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
    系列:-
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.1A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 4.05A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 25V
    功率_最大:74W
    安裝類(lèi)型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220
    包裝:管件

    IRF634L詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.1A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 5.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:770pF @ 25V
    功率_最大:3.1W
    安裝類(lèi)型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:I2PAK
    包裝:管件

    IRF634NLPBF詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO-262
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:435 毫歐 @ 4.8A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:620pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類(lèi)型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:I2PAK
    包裝:管件

    IRF634NPBF詳細(xì)規(guī)格

    類(lèi)別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO-220AB
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:435 毫歐 @ 4.8A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:620pF @ 25V
    功率_最大:3.8W
    安裝類(lèi)型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRF634供應(yīng)商

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