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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRF614STRR 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF614STRR詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 歐姆 @ 1.6A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
    功率_最大:3.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF614STRRPBF詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:250V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 歐姆 @ 1.6A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
    功率_最大:3.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF614STRR供應(yīng)商

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