當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁(yè) » 庫(kù)存索引134 » 型號(hào)"IRF540STRL"的供應(yīng)信息

IRF540STRL 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IRF540STRL詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF540STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF540STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：Digi-Reel®

IRF540STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：剪切帶 (CT)

• LMV822IDT

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    STMicroelectronics    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP GP LP RR DUAL 8SOIC

• K180J15C0GF5TL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 18PF 50V 5% RADIAL

• IRF540NSPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

• ECQ-E6394JFB

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.39UF 630VDC RADIAL

• KTR10EZPF4R70

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 4.70 OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• ISL6612ACBZR5214

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

• K183K15X7RF53L2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL

• IXFT14N100

  FET - 單    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268

• K180J15C0GH5TL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 18PF 100V 5% RADIAL

• ECQ-E6394JFW

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.39UF 630VDC RADIAL

• ISL6612ACR

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

• KTR10EZPF5103

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 510K OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• K183K15X7RF5TH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL

• IXFT15N80Q

  FET - 單    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    MOSFET N-CH 800V 15A TO-268

• LMV822IST

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    STMicroelectronics    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC OPAMP GP LP RR DUAL 8MSOP