IRF530STRR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

IRF530STRR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 8.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF530STRRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 8.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）

包裝：帶卷 (TR)

IRF530STRRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 8.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）

包裝：剪切帶 (CT)

IRF530STRRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 8.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）

包裝：Digi-Reel®

• LMV821SQ3T2G

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    ON Semiconductor    6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353    IC OP AMP SGL LV SC-88A-5

• ECS-40-20-5PXDN-TR

  晶體    ECS Inc    HC49/US    CRYSTAL 4.000MHZ 20PF SMD

• ECQ-E6333KF9

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.033UF 630VDC RADIAL

• KTR10EZPF4701

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 4.70K OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• IXFR58N20Q

  FET - 單    IXYS    ISOPLUS247?    MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247

• K183K10X7RF53H5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL

• ISL6610ACBZ-T

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)    Intersil    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC MOSFET DRVR DUAL SYNC 14-SOIC

• K-17-U

  觸摸屏覆蓋層    IRTouch Systems    徑向    TOUCHSCREEN 17" USB SIDE MT

• LMV822DR

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC

• KTR10EZPF4702

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 47.0K OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• IXFT12N100

  FET - 單    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

• K183K10X7RF5TL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL

• ISL6610IRZ

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)    Intersil    16-VQFN 裸露焊盤    IC MOSFET DRVR DUAL SYNC 16-QFN

• K180J10C0GF5UL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 18PF 50V 5% RADIAL

• LMV822ID

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC