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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRF510 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF510詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 3.4A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
    功率_最大:43W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRF510L詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 3.4A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
    功率_最大:3.7W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262-3
    包裝:管件

    IRF510PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 3.4A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
    功率_最大:43W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRF510S詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 3.4A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
    功率_最大:3.7W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRF510SPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 3.4A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
    功率_最大:3.7W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRF510STRL詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標準
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.6A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 3.4A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
    功率_最大:3.7W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF510供應(yīng)商

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