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IRF3711ZS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：92A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3711ZSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：92A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3711ZSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：92A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3711ZSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：92A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3711ZSTRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：92A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3711ZSTRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：92A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

HM1S49FERB26H6
背板 - 專用 FCI METRAL RCT STR PF 4X42
IRLMS5703TRPBF
FET - 單 International Rectifier 6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬） MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
E4C0808S
旋轉(zhuǎn) Electroswitch - SWITCH ROTARY 8P-8POS OPEN FRAME
IRF3711ZCSTRRP
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
ISL9011IRBLZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤(pán) IC REG LDO 1.5V/2.9V 10-DFN
E39-L93XY
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET FOR E3Z XY JOINT TYPE
ISL32601EFBZ
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC LINEAR
IRG4PC50WPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT WARP 600V 55A TO247AC
HM1S52FRR000H6LF
背板 - 專用 FCI METRAL RCT STR STB 5X12
ISL9011IRJCZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤(pán) IC REG LDO 2.8V/1.8V 10-DFN
E39-L93XY
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET FOR E3Z XY JOINT TYPE
IRLMS6802TRPBF
FET - 單 International Rectifier 6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬） MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
IRG4PH20KD
IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT W/DIODE 1200V 11A TO-247AC
ISL32601EFBZ-T
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC LINEAR
HM1W41APR000H6P
背板 - 專用 FCI METRAL HDR STR PF 4X6

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