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IRF3708詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3708L詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3708PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3708S詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3708SPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3708STRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR220TRRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
HLMP-AL62-UY0DD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED OVAL MINI 5MM 590NM AMBER
IRF3707ZSTRRP
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
HFBR-4402
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT CAPS SMA 500EA
IXFN62N80Q3
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
ISL88013IH526Z-TK
PMIC - 監(jiān)控器 Intersil SC-74A，SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
CY7C1360C-200BGC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 119-BGA IC SRAM 9MBIT 200MHZ 119BGA
FVXO-HC73BR-73.728
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 73.728 MHZ 3.3V HCMOS SMD
IRFR224TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
IXFN64N50PD2
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
HFBR-4402Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT CAPS SMA 500EA
ISL88013IH529Z-TK
PMIC - 監(jiān)控器 Intersil SC-74A，SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
IRFR2405PBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
CY7C1360C-200BGCT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 119-BGA IC SRAM 9MBIT 200MHZ 119BGA
FVXO-HC73BR-77.76
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 77.76 MHZ 3.3V HCMOS SMD

IRF3708 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料