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    IRF3704 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRF3704詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:77A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1996pF @ 10V
    功率_最大:87W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRF3704L詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:77A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1996pF @ 10V
    功率_最大:87W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應商設備封裝:TO-262
    包裝:管件

    IRF3704LPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:77A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1996pF @ 10V
    功率_最大:87W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
    供應商設備封裝:TO-262
    包裝:管件

    IRF3704PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:77A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1996pF @ 10V
    功率_最大:87W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-220-3
    供應商設備封裝:TO-220AB
    包裝:管件

    IRF3704SPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:77A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1996pF @ 10V
    功率_最大:87W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應商設備封裝:D2PAK
    包裝:管件

    IRF3704STRL詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:77A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1996pF @ 10V
    功率_最大:87W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    供應商設備封裝:D2PAK
    包裝:帶卷 (TR)

    IRF3704供應商

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