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IRF3315詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3315L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3315LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3315PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：94W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3315S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3315SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

ISL6413EVAL1
過(guò)時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) Intersil EVALUATION BOARD ISL6413
IXTQ460P2
FET - 單 IXYS TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
IRF3315L
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
ECS-162.57-18-5PXEN-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.257 MHZ 18PF SMD
LP2985IM5-2.8
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 2.8V .15A SOT23-5
ECS-122.8-20-7SX-TR
晶體 ECS Inc 4-SOJ，9.40mm 間距 CRYSTAL 12.288MHZ 20PF SMD
ECS-100-S-19A-TR
晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 10.000MHZ SERIES SMD
ISL6414IRZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC REG LDO TRPL OUTP 16QFN
IXTQ88N30P
FET - 單 IXYS TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
LP2985IM5-2.9
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 2.9V .15A SOT23-5
ECS-162.57-20-33-CKM-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） CRYSTAL 16.257 MHZ 20PF SMD
ECS-100-S-20A-TR
晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 10.000MHZ SERIES SMD
IXTR200N10P
FET - 單 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
ISC1812RQ2R7J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 2.7UH 5% 1812
IRF3415STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

IRF3315 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料